《半导体器件物理与工艺》课后习题答案下载

时间：2022-04-01 01:13:18 课后答案我要投稿

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　　《半导体器件物理与工艺》是由[美国]施敏编写，苏州大学出版社出版的一本书籍。以下是由阳光网小编整理关于《半导体器件物理与工艺》课后习题答案下载的内容，希望大家喜欢!

《半导体器件物理与工艺》课后习题答案下载

　　《半导体器件物理与工艺》图

　　《半导体器件物理与工艺》内容简介

　　《半导体器件物理与工艺》(第2版)分为三个部分：第1部分(第2、3章)描述半导体的基本特性和它的.传导过程，尤其着重在硅和砷化镓两种最重要的丰导体材料上。第l部分的概念将在《半导体器件物理与工艺》(第2版)接下来的部分被用到，了解这些概念需要现代物理和微积分的基本知识。第2部分(第4-9章)讨论所有土要半导体器件的物理过程和特性。由对大部分半导体器件而言最关键的p-n结开始，接下来讨论双极型和场效应器件。最后讨论微波、量子效应、热电子和光电子器件。第3部分(第10-14章)则介绍从晶体生长到掺杂等工艺技术。我们介绍了制作器件时的各个主要步骤，包含理论和实际情况，并特别强调其在集成电路土的压用。

　　《半导体器件物理与工艺》作者简介

　　本书由[美国]施敏著赵鹤鸣钱敏黄秋萍译。

　　施敏(Simon M·Sze) 美国籍，微电子科学技术、半导体器件物理专业，台湾交通大学电子工程学系毫微米元件实验室教授，美国工程院院士，中国工程院院士，台湾中央研究院三院院士。1936年出生。1957年毕业于台湾大学。1960年、1963年分别获得华盛顿大学和斯坦福大学硕士与博士学位。

　　施敏博士是国际知名的微电子科学技术与半导体器件专家和教育家。他是非挥发MOS场效应记忆晶体管(MOSFET)的发明者，这项发明已成为世界集成电路产业主导产品之一，90年代初其产值已达100亿美元。此外，他还有多项创造性成果，如80年代初首先以电子束制造出线宽为0.15μm MOSFET器件，首先发现崩溃电压与能隙的关系，建立了微电子元件最高电场的指标，如此等等。

　　施敏博士在微电子科学技术著作方面举世闻名，对半导体元件的发展和人才培养方面，作出贡献。他的三本专著已在我国翻译出版，其中《Physics of Semiconductor Devices》已翻译成六国文字，发行量逾百万册;他的著作广泛用作教科书与参考书。由于他在微电子器件及在人才培养方面的贡献，先后被选为台湾中央研究院院士和美国国家工程院院士;1991年他得到IEEE电子器件的最高荣誉奖(Ebers奖)，称他在电子元件领域做出了基础性及前瞻性贡献。

　　施敏博士多次来国内讲学，参加我国微电子器件研讨会;他对台湾微电子产业的.发展，曾提出过有份量的建议。他曾一再表示愿为我国微电子产业的发展提供咨询。

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