半导体器件物理(孟庆巨著)课后答案
半导体器件物理(孟庆巨著)可作为高职高专微电子技术及相关专业的教材，也可供半导体行业工程技术人员参考。以下是由阳光网小编整理关于半导体器件物理(孟庆巨著)的课后答案，希望大家喜欢!
半导体器件物理(孟庆巨著)内容提要
孟庆巨、刘海波、孟庆辉编著的《半导体器件物理》是*“十一五”国家级*。本书介绍了常用半导体器件的基本结构、工作原理、主要性能和基本工艺技术。全书内容包括：半导体物理基础、PN结、双极结型晶体管、金属-半导体结、结型场效应晶体管和金属-半导体场效应晶体管、金属-氧化物-半导体场效应晶体管、电荷转移器件、半导体太阳电池及光电二极管、发光二极管和半导体激光器等。《半导体器件物理》可作为高等院校电子科学与技术、微电子学、光电子技术等专业的半导体器件物理相关课程的教材，也可供有关科研人员和工程技术人员参考。
半导体器件物理(孟庆巨著)目录
第1章 半导体特性
1.1 半导体的晶体结构
1.2 半导体中的电子状态
1.3 杂质和缺陷
1.4 热平衡载流子
1.5 非平衡载流子
1.6 载流子的运动
实验一 晶体缺陷的观测
实验二 少数载流子寿命的测量
思考题与习题
第2章 PN结
2.1 平衡PN结
2.2 PN结的直流特性
2.3 PN结电容
2.4 PN结的击穿特性
2.5二极管的开关作用和反向恢复时间
实验三 PN结伏安特性与温度效应
实验四 PN结势垒电容的测量
思考题与习题
第3章 半导体的'表面特性
3.1半导体表面与Si-SiO2系统
3.2 表面空间电荷区与表面势
3.3 MOS结构的阈值电压
3.4 MOS结构的C-V特性
3.5 金属与半导体接触
实验五 MOS电容的测量
实验六 SBD(肖特基)二极管伏安特性的测量
思考题与习题
第4章 双极型晶体管及其特性
4.1晶体管结构与工作原理
4.2晶体管的直流特性
4.3晶体管的频率特性
4.4晶体管的功率特性
4.5晶体管的开关特性
4.6晶体管的版图和工艺流程
实验七 图示仪测试晶体管的特性曲线
实验八 晶体管直流参数的测量[1]
思考题与习题
第5章 MOS场效应晶体管
5.1 MOS晶体管的结构与分类
5.2 MOS晶体管的阈值电压
5.3 MOS晶体管输出伏安特性与直流参数
5.4 MOS晶体管频率特性与交流小信号参数
5.5 MOS晶体管版图及其结构特征
5.6小尺寸集成MOS晶体管的几个效应
实验九 MOS晶体管阈值电压VT的测量
实验十 MOS晶体管输出伏安特性曲线的测量
思考题与习题
第6章 其他常用半导体器件简介
6.1 达林顿晶体管
6.2 功率MOS晶体管
6.3 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
6.4发光二极管(LED)
6.5太阳能电池
思考题与习题
附录 XJ4810型半导体管特性图示仪面板功能
参考文献
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